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超细碳化硅微粉的制备及反应烧结碳化硅性能的研究 - 百度学术
作者：. 尹长霞. 摘要：. 碳化硅 (SiC)陶瓷具有高熔点,高硬度,耐磨损和强度高等优点,是重要的高温结构材料之一.反应烧结碳化硅 (RBSC)材料可以作为密封件,热交换器件和喷嘴等材 采用微波消解技术研究碳化硅微纳米微纳米粉体中Fe_2O_3,Si,SiO_2去除工艺,实验结果表明:微波功率4KW,微波频率2450MHz时,其中反应温度90℃,HCl浓度3molL~(-1),反应时 半导体制造用高纯超细碳化硅粉体制备及其陶瓷高值化研究 ...
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碳化硅的制备及应用最新研究进展 - ResearchGate
2022年5月20日 碳化硅具有强度大、硬度高、弹性模量大、耐磨性好、导热性强和耐腐蚀性好等优异性能，被广泛地应 用于磨料磨具、陶瓷、冶金、半导体、耐火 ...2016年11月26日 基于高纯碳化硅粉表面的杂质量很低， 本文采用 ICP-MS 法对高纯碳化硅粉表面的 Na 、 Al、 Ti、 V、 Cr、 Mn、 Fe、 Co、 Ni、 Cu、 Zn、Cd 12 种痕量杂质 ICP-MS 法测定高纯碳化硅粉表面的痕量杂质 - 现代仪器 - 道 ...
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碳化硅中主要杂质元素的存在形式,Ceramics International ...
2021年11月17日 本研究采用 X 射线衍射 (XRD)、电感耦合等离子体原子发射光谱 (ICP-OES)、扫描电子显微镜 (SEM)、透射电子显微镜 (TEM) 和 X 射线光电子能谱 (XPS)。. 2013年3月14日 超细SiC微粉是一种化学组成均匀性好、粒径分布窄、纯度高且反应活性高的化合物，因此本课题以形状记忆法、原位凝固法和溶胶．凝胶法合成的超细SiC粉为原 超细碳化硅微粉的制备及反应烧结碳化硅性能的研究 - 豆丁网
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硅碳直接反应法制备超细β-SiC粉-《武汉工程大学学报》
2016年12月15日 采用碳纳米管（CNTs）为碳源，硅粉为硅源，通过煅烧，制备出了纳米到亚微米级的超细碳化硅（SiC）粉体，研究了1 300 ℃、1 400 ℃、1 500 ℃三个不同的反 2023年6月12日 超纯水、硝酸、氢氟酸、过氧化氢等化学试剂中的杂质含量，以及器皿、工具的洁净程度都会影 响测试结果。 电感耦合等离子体质谱仪存在记忆效应，不应测试表 碳化硅晶片表面金属元素含量的测定 电感耦合等离子体质谱法
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超细碳化硅粉体的制备及应用简介_粉体资讯_粉体圈 ...
2016年12月23日 近年来，在高新技术领域发展起来的超细碳化硅粉体制备的方法，主要归为三种：固相法、液相法和气相法。 固相法主要包括以下几种：碳热还原法、Si与C直接 2013年12月25日 杂质元素量的检测方法是很必要的。电感耦合等离子体质 谱仪（ICP-MS）是发展最快的无机痕量、超痕量分析技术，具有很高的灵敏度；分析速度快，一次 ICP-MS 法测定高纯碳化硅粉表面的痕量杂质 - 现代仪器 - 豆丁网
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超细碳化硅杂质含量
目前,采用我国生产的超细重结晶碳化硅粉体制备的浆料没有达到国外先进水平,因此需要对粉体进行表面改性从而提高其固相含量,降低粘度。本文选用预处理的聚丙烯酸、嵌段共聚物HY2000和HY168、聚丙77 YS/T 英文版 高纯锆化学分析方法 痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法 78 YS/T 英文版 碳化硅 ...2023年12月20日 2、本发明的一个技术解决方案是，提供了一种超细碳化硅粉末的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：. 3、（1）通过循环工作气体置换反应器内气体后，在等离子弧炬中通入等离子体工作气体并维持等离子弧稳定；. 4、（2）将粉末状硅原料通过一内设粉 一种超细碳化硅粉末的制备方法与流程
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碳化硅的制备及应用最新研究进展 - ResearchGate
2022年5月20日 生产的碳化硅粉体不够细，杂质 多，能耗低，效率低，但由于操作工艺简单，仍被广泛用于碳化硅的制 ... 的超细碳化硅(SiC)粉体，且均为β-SiC ...碳化硅晶舟（SICBOAT）如何做到99.99%的高纯度？_百度文库 烧结碳化硅陶瓷制品，采用高纯超细碳化硅微粉，经2450℃高温烧结而成，碳化硅含量在99.1%以上，制品密度 ≥3.10g/cm3,不含金属硅等金属杂质。 碳化硅陶瓷晶舟，碳化硅 获取价格超细碳化硅杂质含量
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超细碳化硅杂质含量
超细碳化硅微粉的制备及反应烧结碳化硅性能的研究《武汉 反应烧结碳化硅 (RBSC)材料可以作为密封件、热交换器件和喷嘴等材料。 但是由于普通RBSC陶瓷的原料杂质含量高、粒径分布宽及成型工艺和烧结工艺的多样化等,导致RBSC 2022年2月23日一般来说导热率取决于碳化硅结晶颗粒中杂质的含量，杂质 ...2013年12月25日 杂质元素量的检测方法是很必要的。电感耦合等离子体质 谱仪（ICP-MS）是发展最快的无机痕量、超痕量分析技术，具有很高的灵敏度；分析速度快，一次进样可进行多元素 的同时测定，应用非常广泛 [1，2]。基于高纯碳化硅粉表 面的杂质量很低，本 ICP-MS 法测定高纯碳化硅粉表面的痕量杂质 - 现代仪器 - 豆丁网
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超细碳化硅杂质含量
纳米碳化硅,微米碳化硅,超细碳化硅,高纯碳化硅,耐磨。光阳碳化硅98含量高纯黑碳化硅出口级黑碳化硅。ICP—MS法测定高纯碳化硅粉表面的痕量杂质Determination。超细粉体存集成1实验部分1.1仪器Varian系统、。硅片表面金属杂质含量,质种金属杂质ICP。杂质含量和碳化硅纯度均能达到产品要求。采 用湿式高速搅拌磨机超细磨能够细磨到 D50 096μm，磨 细后的物料经过高速卧螺离心分级机分级后达到陶瓷原 [1] 陈立松，彭春艳等 世界碳化硅生产、消费及市场概况 [J] ...超细碳化硅杂质含量超细碳化硅杂质含量超细碳化硅杂质含量 ...
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高纯碳化硅粉体合成方法研究现状综述
2020年3月24日 W.Z.Zhu等使用CVD法，利用硅烷与乙炔为反应气，氢气为载气，在1200～1400℃下合成了超细高纯SiC ... 硅源，苯酚树脂作为碳源，利用燃烧法在1700～2000℃的范围内，合成了粒径在10～500μm，杂质含量质量分数低于0.5×10-6的SiC粉 该法生产的碳化硅粉体不够细，杂质多，能耗低，效率低，但由于操作工艺简单，仍被广泛用于碳化硅的制备。 以下是几种常见的固相法。 1) 机械粉碎法：将粉体颗粒状的碳化硅在外力作用下将他研磨煅烧一系列操作后得到超细粉体，该工艺及设备简单，成本也低，但效率高，缺点就是反应中易 ...碳化硅的制备及应用最新研究进展 - 汉斯出版社
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超细碳化硅杂质含量
纳米碳化硅,微米碳化硅,超细碳化硅,高纯碳化硅,耐磨。光阳碳化硅98含量高纯黑碳化硅出口级黑碳化硅。ICP—MS法测定高纯碳化硅粉表面的痕量杂质Determination。超细粉体存集成1实验部分1.1仪器Varian系统、。硅片表面金属杂质含量,质种金属杂质ICP。2011年3月22日 由于碳化硅形成过程比较复杂,制备样粒度大. 小影响测试结果,碳化硅颗粒中一般都包着少量的. 炭、石英、方石英及其他杂质,我们做过通过0.15. mm和0.3mm筛网的同一试样,结果0.3mm粒度. 的误差比0.15mm的大,所以采用0.15mm粒度。. 3方法对比. 同国内商检局的检测碳化硅 ...碳化硅含量的测定方法 - 豆丁网
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一种降低碳化硅粉体中氮杂质含量的方法 - 豆丁网
2023年12月30日 一种降低碳化硅粉体中氮杂质含量的方法.pdf 2023-12-30 上传 暂无简介 文档格式：.pdf 文档大小： 362.47K 文档页数： 7 页 顶 /踩数： 0 / 0 收藏人数： 0 评论次数： 0 文档热度： 文档分类： 行业资料 ...2013年3月14日 反应烧结碳化硅（RBSC）材料可以作为密封件、热交换器件和喷嘴等材料。. 但是由于普通RBSC陶瓷的原料杂质含量高、粒径分布宽及成型工艺和烧结工艺的多样化等，导致RBSC材料的性能不高。. 超细SiC微粉是一种化学组成均匀性好、粒径分布窄、纯度高且反应活性 ...超细碳化硅微粉的制备及反应烧结碳化硅性能的研究 - 豆丁网
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高纯碳化硅粉体合成方法及合成工艺展望_化学
2020年8月21日 碳化硅粉体合成采用高纯碳粉和硅粉直接反应，通过高温合成的方法生成。. 碳化硅粉体合成设备主要技术难点在于高温高真空密封与控制、真空室水冷、真空及测量系统、电气控制系统、粉体合成坩埚加热与耦合技术。. 当前国外主要厂商包括Cree、Aymont等 ...2019年4月16日 碳化硅的碱洗通常也是在加热碳化硅的过程中，用氢氧化纳对碳化硅颗粒进行处理。. 主要目的是除去表面的游离硅，二氧化硅等物质，这样可以提高碳化硅的含量。. 在使用碳化硅制品中有杂质出现，该怎样去除？. 有两种方法：化学除铁法和物理触铁法，下 在使用碳化硅制品中有杂质出现，该怎样去除？ - 百度知道
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无压烧结碳化硅辊棒--1900℃，0金属杂质_陶瓷
2021年1月30日 1）锂电池三元材料烧结：无压烧结碳化硅辊棒，常压烧结碳化硅陶瓷辊棒强度高、使用温度高，耐强酸耐强碱腐蚀，由于在超高温(2400℃)下煅烧，不含可溶性的酸碱成分； 2）碳化硅陶瓷晶舟：碳化硅纯度＞99%，金属杂质少，用于半导体配件； 3）碳化硅热2023年11月23日 对碳化硅粉体进行表面改性，可以改善超细粉体颗粒在液相中的分散性、稳定性与高聚物相容性等性能，提高其表面活性，使其能够符合不同应用领域的要求。. 近年来，随着科研工作者对纳米粉体改性的深入研究，表面改性呈现多样化，概括地说来主要分为 「技术」碳化硅粉体表面改性方法及研究进展
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高纯SiC微粉制备进展
2020年6月25日 综述了高纯SiC微粉主要制备工艺,介绍了近些年SiC微粉除杂提纯工艺新进展,提出未来高纯SiC微粉制备工艺应不断更新升级,产业化生产技术和装备也需要不断完善。. 关键词: SiC, 制备方法, 除杂, 研究进展. Abstract: The main preparation processes of high-purity SiC micropowder were ...特点：所制备的碳化硅产物高纯度、细分散； 相似方法：含有硅和碳的气体在高温下发生反应，由此 可合成出纳米级的β-SiC 超细粉。 （3）热分解法 使聚碳硅烷或三氯甲基硅烷等有机硅聚合物在1200℃一 1500℃的温度范围内发生分解反应, 由此可合成出亚微米级 的β-SiC粉 张波—碳化硅分解 - 百度文库
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每公斤2000~12000 元？这种碳化硅堪称“万金之躯”！-要闻 ...
2021年12月4日 那半导体领域用的碳化硅价格是多少呢？. 据了解，用于单晶生长的碳化硅微粉价格为 2000～12000元/kg ，注意，其价格单位是 元每千克 。. 单晶生长用碳化硅为何有如此天价？. 据了解，生长单晶用 碳化硅粉 体的粒径约为300～500μm，粒度要求不是很高， 1 天前 碳化硅的不同晶型 碳化硅的合成 在工业生产中，用于合成 SiC 的石英砂和焦炭通常含有 Al 和 Fe 等金属杂质。其中杂质含量少的呈绿色，被称为绿色碳化硅；杂质含量多的呈黑色，被称为黑色碳化硅。一般碳化硅含量愈高、颜色愈浅，高纯碳化硅应为无色。碳化硅陶瓷件生产工艺和应用-新闻中心-上海戎创铠迅特种材料 ...
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球磨法制备超细碳化硅粉体 - 百度学术
摘要：. 以低品位碳化硅粗粉为原料,通过球磨工艺制备高性能超细碳化硅粉体,研究球磨时间,球料质量比,转速等球磨参数对碳化硅粉体微观结构及性能的影响.结果表明:随着球磨时间,球料质量比,转速的增加,碳化硅粉体的粒度逐渐减小,粉体振实密度不断减小,但是 ...是指利用JZFZ设备来进行超细粉碎分级的微米级碳化硅粉体。碳化硅微粉主要为1200#和1500#为主，由于碳化硅微粉主要用于磨料行业，所以对微粉的分级有特殊要求，微粉中不能有大颗粒出现，所以为达国际和国内产品要求，一般生产都采用JZF分级设备来进行高精分级。碳化硅微粉_百度百科
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一种碳化硅复合材料中铝、镁等杂质元素含量的测定方法与流程
2021年4月27日 1.本发明属于化学检测技术领域，具体涉及一种碳化硅复合材料中铝、镁等杂质元素含量的测定方法。背景技术： 2.碳化硅的硬度高、耐磨性和研磨性能好，并且铀抗热冲击、抗氧化、抗化学试剂作用、抗熔盐和抗熔融金属的高稳定性。 近年来关于其化学元素检测的报道有很多，并发布了国家标准gb ...2014年9月15日 摘要某常压烧结陶瓷级碳化硅微粉要求原料平均粒度D50 0.8µm，对原料中杂质铁、碳、硅的含量要求较严格，通过选矿和化学处理方法 可使其杂质含量达到标准需求，超细磨前利用浮选分离游离碳，采用脉动高梯度强磁选机可除去70%以上铁矿物，加烧碱化学处理除去单质硅和陶瓷级碳化硅微粉提纯试验研究 - 豆丁网
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深度去除高纯碳化硅粉体中杂质元素的方法与流程
2019年5月7日 本发明目的是提出一种可深度去除高纯碳化硅粉体中硼、铝、钛、铁、钒等杂质元素，使除杂后的碳化硅纯度达到5～6n的方法。. 本发明技术方案是：以hcl气体通入温度为900～1200℃的含杂碳化硅粉体，使含杂碳化硅粉体中的杂质元素与hcl反应生成低沸点 2021年6月17日 性能SiC产 品的重要前提。 其中,最早制备高纯SiC粉 体的方法是碳热还原法,其 合成的SiC粉体原料成本较低,也是目前 . 业生产中最常用的方法。 但早期该法在制备过程中反应温度高,反应时间长,产 品的杂质含量高,颗粒尺寸大等无法满 . 近年来,人们不断地对碳 高纯 SiC微粉制备进展
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碳化硅基本特性及碳化硅陶瓷烧结工艺_百度文库
高纯度碳化硅随着气温的升高内阻率降低，含杂质碳化硅 按照其含杂质不一样，导电性能也不一样。 2、碳化硅粉末的合成方法 ... 采用化学共沉淀法制备了羟基磷灰石和二氧化锆超细粉，并以此为原料，通过不同材料的优化组合，用烧结法制备了HA-ZrO2 ...2007年2月14日 本发明涉及一种清除生产SiC细粉工艺中的杂质进行酸洗净方法，尤其涉及.背景技术半导体制造用SiC细粉陶瓷原料的生产是采用球磨法，制造纯度大于96％，平均粒径在0.8μm的超细SiC粉，为了保证SiC细粉的高纯度必须进行酸洗净工艺。采用物理超微粉碎技术，进行碳化硅细粉产业化生产工艺，碳化硅 ...一种超细碳化硅粉末提纯方法
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